CMP浆料中的离子分析(Agilent 7100)


晶片的研磨和抛光是作为切割的预处理步骤。 在抛光工艺中,CMP浆料用于改善抛光表面的均匀性。 CMP浆料是含有用于抛光的细磨料的化学品,可以与抛光机一起使用以镜面研磨表面,防止切割期间的产量降低。 在使用CMP浆料时,需要注意的是,CMP浆料中存在凝结。 如果浆料中的颗粒聚集,则可能造成晶片上的划痕。 为了分析颗粒聚集的原因,有必要分析浆料中的离子。上图显示了CMP浆料是否含有用于防止颗粒聚集的添加剂的离子分析结果。 结果显示确认到加入了NH 4 +,胺,K +用于调节pH等添加剂。

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